T3Ster熱阻測試儀
T3Ster是MicReD研發(fā)制造的先進(jìn)的熱測試儀,用于測試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于先進(jìn)的JEDEC ‘Static Method’測試方法(JESD51-1),通過改變電子器件的輸入功率,使得器件產(chǎn)生溫度變化,在變化過程中,T3Ster測試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線,僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。T3Ster測試技術(shù)不是基于“脈沖方法”的熱測試儀,“脈沖方法”由于是基于延時(shí)測量的技術(shù)所以其測出的溫度瞬態(tài)測試曲線精度不高,而T3Ster 采用的是“運(yùn)行中”的實(shí)時(shí)測量的方法,結(jié)合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態(tài)曲線。
T3Ster運(yùn)用先進(jìn)的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測試方法(JESD51-1),專業(yè)測試各類IC(包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等)、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專為LED產(chǎn)業(yè)開發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測量。
符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。
T3Ster熱阻測試儀工作原理
T3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測試方法,其原理為:
1) 首先通過改變電子器件的功率輸入;
2) 通過TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數(shù))測試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線;
3) 對(duì)溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理,抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù);
4) 從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。
T3Ster熱阻測試儀設(shè)備參數(shù)
● 加熱電壓范圍:標(biāo)配1-10V,不確定度小于±1%。選配功率放大器,最大電壓可達(dá)280V
● 加熱電流范圍:標(biāo)配0.01-2A,不確定度小于±1%。選配功率放大器,最大電流達(dá)100A或更大
● 加熱功率脈沖:無時(shí)間限制
● 熱阻測量范圍:0.002-1000℃/W,不確定度小于±1%
● 測試通道數(shù)量:標(biāo)配2通道,同一主機(jī)箱內(nèi)可以升級(jí)至8通道
● 溫度采集響應(yīng)時(shí)間:1μs
● 溫度測量精度:±0.01℃
● 通道測量解析度:12bit
● 通道噪聲:±1bit
● 取樣容量:每個(gè)通道64k
T3Ster熱阻測試儀應(yīng)用范圍
● 各種三極管、二極管等半導(dǎo)體分立器件,包括:常見的半導(dǎo)體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。
● 各種復(fù)雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結(jié)構(gòu) 。
● 各種復(fù)雜的散熱模組的熱特性測試,如熱管、風(fēng)扇等。
● 半導(dǎo)體器件結(jié)溫測量。
● 半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻及瞬態(tài)熱阻抗測量。
● 半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析,包括器件封裝內(nèi)部每層結(jié)構(gòu)(芯片+焊接層+熱沉等)的熱阻和熱容參數(shù)。
● 半導(dǎo)體器件老化試驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷,幫助用戶準(zhǔn)確定位封裝內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)。
● 材料熱特性測量(導(dǎo)熱系數(shù)和比熱容)。
● 接觸熱阻測量,包括導(dǎo)熱膠、新型熱接觸材料的導(dǎo)熱性能測試。